第438章 光刻機項目：另辟蹊徑

沐陽研究更新後的閱讀系統兩個多小時才研究透，興奮得睡不著。

喝了一杯茶，他想看看芯片制造技術的核心設備：光刻機。

目前市場上，有兩種主流光刻機，一個是DUV光刻機，另一個是EUV光刻機。

DUV是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithography）。

從制程範圍來看，DUV基本上只能做到25nm，Intel憑借雙工作台的模式做到了10nm，但是卻無法達到10nm以下。

只有EUV能滿足10nm以下的晶圓制造，並且還可以向5nm、3nm繼續延伸。

這個線寬其實就是跟光的線寬有關系，比如可見光的G線，那就是436nm，如果用來刻蝕，線路肯定很寬。

可以簡單地認為，光刻機的光系統其實就是一支畫筆，不同的光代表不同粗細大小的筆芯，越細的筆（光）能夠畫越細越復雜的畫。

DUV就是彩筆，EUV就是中性筆，中性筆畫的線條比較細，比較好用。

這麽理解，也好理解光刻機到底如何刻蝕電路圖了。

當前，國外品牌光刻機主要以荷藍ASML，島國Nikon和Canon三大品牌為主。

EUV的價格是1-3億美金/台，DUV的價格為2000萬—5000萬美金/台不等。

目前先進的光刻系統就是EUV光刻機，如果沐陽打算走EUV光刻機路線，必然繞不開別人的技術專利保護範圍。

因此，他只能尋找另外光種的光刻機，同時要考慮到光的分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等指標。

就說分辨率，如果制作出來的電路圖模糊不清，那芯片肯定不好。

光刻機其它的指標，也可以比喻成畫筆的性能就行了。

並不是說，沐陽不能搞光刻機了，只是說，再搞DUV和EUV光刻機，繞不開以上三家企業的技術專利保護範圍。

所以，他只能另辟蹊徑。

很久之前，沐陽就想到過電子束光刻機。

原本，再過幾年，漂亮國的一個實驗室研發出一套名為ZyvexLitho1的光刻系統，基於STM掃描隧道顯微鏡，使用的是EBL（E-Beam Lithography）電子束光刻方式，制造出了0.7nm線寬的芯片，只是沒法實現批量生產，或者成本高過。

沐陽相信，如果是技術成熟的電子束光刻機，線寬比0.7nm更小。

他在系統商店普通貨架上默念搜索“電子束光刻機”，很快，搜索出幾款相關技術。

沐陽選擇適合自己公司的一款技術：EBL01

技術參數：

1.最小線寬：小於1nm

2.加速電壓：5-500kV

3.電子束直徑：小於0.5nm

4.套刻精度：1nm（mean+0.2σ）

5.拼接精度：1nm（mean+0.2σ）

6.加工晶圓尺寸：4-18英寸

7.描電鏡分辨率：小於0.2nm

主要特點：

1.采用超高亮度和超高穩定性的TFE電子槍；

2.出色的電子束偏轉控制技術；

3.采用場尺寸調制技術，電子束定位分辨率可達0.0002nm；

4.采用軸對稱圖形書寫技術，圖形偏角分辨率可達0.002mrad；

5.應用領域廣泛，如微納器件加工，研究用掩膜制造，納米加工（例如單電子器件、量子器件制作等），高頻電子器件中的混合光刻，圖形線寬和圖形位移測量等。

……

需要成就點：300點！

……

沐陽大概看了下簡介，光從技術參數上就看出它的先進性。

還有更加先進的光刻機，但是，以星海集團目前的條件，買了也造不出來，而且需要的成就點非常多。

這個EBL01號稱可以制造1nm以下的芯片，但量產成本會比較高。

因此，當前的情況，星海集團可以從7nm芯片工藝開始，可以保證在2018年之前保持在世界第一地位。

等競爭對手可以批量搞7nm芯片了，星海集團再推出5nm或3nm芯片。

有些設備應用，也用不著這麽高端的芯片，28nm芯片工藝足夠，也是未來十年內的主流。

只是說，沐陽不打算玩什麽中低端芯片。

另外，沐陽打算弄一些小於1nm的芯片，用於制造量子計算機和超算，這類芯片他打算自用。

接下來，沐陽確認購買EBL01技術。

十幾分鐘後，沐陽把EBL01技術吸收完畢。

他感覺自己對光刻機有了更深入的了解，如今就是實實在在的芯片制造頂尖專家。

買了光刻機的技術，沐陽還得購買芯片設計技術、芯片設計相關軟件和相關設備。

這個芯片設計軟件，他就不打算自己研發了，他在芯片軟件設計這一塊是弱點，靠自己研究不知道得花多長時間。

而且，目前公司形勢嚴峻，一旦漂亮國知道自己公司在搞芯片了，會對星海集團搞各種限制。

沐陽現在趕時間，同時還有更多更重要的事情需要他親自處理。