第一百三十二章 提前截胡台積電

“你怎麽知道采用ArF技術會造成更多的線邊波動和不規則性？

關於ArF技術路線，在IEEE的雜志上有，但是無論是尼康還是佳能的工程師發表在上面的論文，都只說了好處沒有說缺陷。”林本堅驚訝地問。

周新說：“尼康和佳能為了誤導競爭對手，故意不談ArF技術路線的缺點。

為的就是讓競爭對手也踩到這個坑裏去。

他們已經投入了大筆研發經費到ArF技術路線，沒有找到辦法解決ArF光源帶來的線邊波動和不規則性問題，所以他們認為其他競爭對手也解決不了這個問題。”

林本堅默默點頭：“沒錯。

就是這樣。”

周新繼續說：“在技術路線上誤導競爭對手，這不是集成電路領域的常規操作嗎？”

林本堅還是很好奇，他知道ArF技術路線的缺陷，是因為他從事這個領域的研究超過二十年，他有大量的人脈。

由於保密協議的緣故，他的朋友無法直接告訴他，只能通過暗示的方式，向他透露ArF技術路線有重大缺陷。

他對此也只是猜測，沒有證據的猜測。

為什麽周新能夠說得如此篤定，並且把ArF技術路線的缺陷也說得如此清楚。

要知道有資格進行ArF技術路線實驗的實驗室，也就那幾家光刻機公司。

周新戰術喝水之後說：“林伯，我知道你在想什麽，我是不是買通了尼康的技術人員，從他們那獲得了技術機密。

實際上ArF技術路線的缺陷，這很容易就推理出來。

ArF光源的波長為193納米，相較於KrF光源的248納米波長更短。短波長光源在光刻過程中，顯然會受到更嚴重的散射、衍射和光學近場效應的影響，導致圖案傳輸過程中的線邊波動和不規則性增加。

同時使用ArF光源的光刻技術用於更先進的制程節點中，這導致晶圓需要實現更高的分辨率。

隨著尺寸的縮小，光刻過程中的圖案邊緣更容易受到光學近場效應、衍射和光刻膠吸收等因素的影響，從而導致線邊波動和不規則性。

這是基於物理知識的推論。”

林本堅鼓掌，“精彩的推演和敏銳的洞察力。

當時正明和我說他從燕大找到了天才學生的時候，我還在想到底有多天才，讓他那麽得意。

你在這方面的天賦比我猜測的還要更出色。

你剛剛說的還差了兩點。

一點是ArF光源的波長更容易被光刻膠吸收，這會導致光刻膠的曝光不均勻，進而影響成像質量。所以需要專門針對ArF光源設計專門的光刻膠。

但是專門針對ArF光源設計光刻膠，來減少吸收呢，新光刻膠又很有可能會進一步造成線邊波動和不規則性。

另外采用ArF來構建先進制程，會采用多重曝光技術、相位移光掩膜技術和偏振光技術等。

這些技術一定程度上又會增加線邊波動和不規則性。

所以造成線邊波動的原因比你猜測的更多。”

周新問：“可是有這麽多困難，為什麽前輩你還是看好ArF路線？”

周新怎麽知道林本堅看好ArF技術路線，因為林本堅這次在參加光學大會接受采訪的時候自己說的。

“是幫光刻機公司打掩護嗎？”

林本堅笑了：“我已經從IBM離職了，IBM這幾年也幾乎沒有在光刻機領域繼續投入了。

我又沒有為尼康或者佳能工作，為什麽要幫他們打掩護。

我當然是從我內心出發更加看好ArF技術路線。

我們剛剛說的是ArF的缺點，這些缺點只是暫時的。

在KrF光源代替g線和i線的過程中，同樣有很多困難。”

g線是436nm波長的光源，i線是365nm波長的光源。

“相對於g線和i線，KrF需要新的光刻膠和抗反射塗層材料來適應KrF光源的特性。

同時KrF要求更高性能的光學系統和光掩膜材料。當時需要采用更先進的透鏡和光學元件，以實現更高的數值孔徑和分辨率。

此外，光掩膜材料也需要具有更低的散射和吸收特性。

KrF還需要優化曝光過程，以提高成像質量。我們當時主要采用了雙重曝光和離焦曝光技術來降低光刻誤差。

讓我想想，對了，我們當時在研發KrF光源的時候還要對控制進行考慮，因為KrF實現了更高的分辨率，所以需要更嚴格的制程控制要求。

需要對光刻膠塗覆厚度、曝光劑量、顯影過程等參數進行更精確的控制，以保證光刻成像質量和產量。

這麽多困難，我們照樣克服了，最終KrF光源代替了g線和i線，成為了今天的最先進的制程光源。

同樣未來短波長的光源勢必然會代替長波長的光源，這是技術進步的必然。

我們剛剛討論的困難只是暫時的困難。”