第二百八十四章 艱難的抉擇（第3/3頁）

周新要回國是為了新芯光刻機而去的，新芯光刻機從180nm開始啟動，購買的是尼康的技術，不僅僅采購的尼康的技術，還從霓虹挖了一些科研人員和工程師到張江。

在林本堅的帶領下，加上新芯科技自己進入芯片代工領域之後，180nm光刻機良品率增長非常快，進入到今年之後，新芯科技180nm的光刻機已經能和尼康、ASML同制程的光刻機有不相上下的良品率。

現在在做130nm光刻機的研究，周新在看新芯光刻機的半年工作報告的時候，在想要不要和林本堅聊關於濕法工藝的事。

濕法工藝是指浸沒式光刻機技術，和之前的幹式工藝相比，該工藝在光刻機投影物鏡的最後一個透鏡和光刻膠之間加了一層液體，這層液體能讓光波頻率更高，成像分辨率也得以提高。

濕法工藝是光刻機技術突破65nm的關鍵，現在的芯片工藝已經到了90nm，再想突破，靠幹式工藝也行，只是要更久的時間。

當然濕法工藝也不是說加一層水那麽簡單，濕法工藝需要考慮到的問題有非常多，比如說浸入環境引起的氣泡和汙染、抗蝕劑與流體或面漆的相容性、折射指數大於1.65的流體粘度、吸收和流體循環要求等等。

這是一整套技術，失去林本堅這樣的關鍵人物，光刻機技術往65nm研發的過程中進展緩慢。

濕法工藝沒有被研究出來，全球進入65nm時代至少得晚兩年時間，也就是說原本到2004年年底會進入到65nm制程，將被推遲到2006年，同時ASML也無法借助這一技術實現彎道超車。

光刻機領域依然是群雄逐鹿的狀態，新芯光刻機有趁機偷雞的機會。

這對新芯光刻機是利好，大家都不動的時候，就輪到新芯追趕了。

而新芯光刻機的半年報說了他們已經完成了130nm的光刻機研發，後續就是大量的實驗以及進入生產環節提高良品率，這都是水磨工夫。

同樣芯片制程無法進入65nm，對Matrix來說就沒有那麽友好了，Mphone將無法實現算力的進化，它和友商之間的差距也會被逐漸拉近。

而實現130nm制程的新芯光刻機一旦采取濕法工藝，它能以一個很短的速度跨越這道門檻，進入到78nm制程，相當於超越了所有光刻機廠商半代的差距。

但是一旦這道紗被掀開，其他光刻機廠商同樣能夠很快趕上。

周新回華國的最重要目的就是和林本堅討論這件事，濕法工藝太關鍵，關鍵到周新不想通過郵件或者電話的方式，只能面談。