第四章 優化MOSFET模型

很多人之所以到了大學會迷茫，很大一部分原因在於評價標準從一維變成多維。

之前在高中時期從市裏到學校再到班級，經常組織考試，能夠讓你對自己的成績在全校乃至全市有一個精確的定位。

一維的評價標準加上反復的測試，讓人很容易提升自己。

而到了大學階段，評價體系變成多維的，對學生的要求不再僅僅停留在應試能力上。高中時期老師也從來沒有教過學生到了大學可以做什麽，需要做什麽。

這種時候，大部分人會陷入迷茫。

像曹永羅屬於家裏人一早就給他安排好了，只需要按照家裏給他規劃的路線按部就班就行。

周新從信息爆炸的時代回來，對自己要做什麽一清二楚。

至於王衛和李力，進入燕大之後發現卷是卷不過這群卷王的，一年只有期中考試和期末考試，壓根不知道要學到什麽地步才能排名靠前。

純純開盲盒。

在大一剛入學的時候，二人也很是認真學習了一段時間，問題是沒有效果，成績在班上也只排在中間。

周新對這些有一定的了解，不過他不在乎。

對他來說，他打算盡快聯系上之前的導師，也就是胡正明教授。

經過這一段時間的資料和信息搜集，周新明確了這個時空和他來之前的時空完全相同。

他也在網上搜到了胡正明的資料，如果他的推測正確，那麽胡正明的郵箱也還是之前那個。

因為跟著胡正明念了四年的博士，對方大多數論文周新要麽看過，要麽通過其他論文引用有所了解。

這是相當不容易的一件事，要知道胡正明有超過九百篇論文。

之所以要去找胡正明，除了看重對方在學術界的地位，更重要的還是對方在產業界的人脈。

“尊敬的胡正明教授：

我在通過閱讀你關於熱電子感應MOSFET退化模型的改進論文時，有了一些新的想法，可以用於改進你優化後的數學模型……”

周新的打算很簡單，還是得找胡正明，去伯克利把博士學位拿到，然後利用技術的領先優勢，去矽谷創業。

創業成功後再回華國。

現在這個身份想在華國創業，難度太高。

或者說想搞半導體的難度太高。

稍作準備後，周新便給胡正明的電子郵件地址發了一封關於MOSFET模型進一步優化的論文過去。

胡正明從1976年開始就在伯克利任教，一直郵箱就沒有變過。

從實際MOSFET晶體管出發，在復雜物理領域推演出數學模型，這是胡正明的得意之作。

這篇發表自1985年的論文，被引用次數接近2000次，是他僅次於FinFETch架構的成果。

在這個年代該數學模型被國際上38家大公司參與的晶體管模型理事會選為設計芯片的第一個且唯一的國際標準。

從1985年發表該論文以來，一直有各種研究試圖改進該模型。

94年的時候有試圖通過薄氮化氧化物來優化該模型的，95年有通過電子的熱再發射來優化。

但是這些研究都是通過物質層面，通過改變晶體管材料，來實現優化MOSFET晶體管的目的。

遲遲沒有從數學模型層面出發，很好優化胡正明的MOSFET模型的結果。

要知道此時離1985年過去了十三年。

遠在舊金山灣區的胡正明教授，每天早上和往常一樣，先查閱一遍自己的郵箱。

電子郵箱已經有十來年的歷史，這十來年裏，受益於電子郵箱，來自世界各地的科學家們交流變得更加頻繁。

對於胡正明來說，每天到辦公室的第一件事，也從查收紙質郵件，變成了查收電子郵件。

一封名為MOSFET模型優化的郵件，很快吸引了他的注意。

畢竟作為該模型的創造者，胡正明本人也希望能夠進一步優化它。

可惜不管是他本人，還是其他科學家，都沒有誰能夠從數學模型的角度，對MOSFET進行優化。

“……這種臨界能量和觀察到的時間依賴性可以用涉及=Sis H鍵斷裂的物理模型來解釋。器件壽命與I－2sub 9 I1d9ΔV15t成正比。如果由於L小或Vd大等原因導致Isub變大，則τ會變小。因此，Isub（可能還有光發射）是τ的有力預測因子。

已發現比例常數因不同技術而異，相差100倍，這為未來通過電介質/界面技術的改進提供了顯著提高可靠性的希望。一個簡單的物理模型可以將溝道場Em與所有器件參數和偏置電壓相關聯。描述了它在解釋和指導熱電子縮放中的用途。”

因為胡正明構建的數學模型很簡單，簡單的描繪了MOSFET退化的本質。

越是簡單的模型，越難進行優化。

但是這封郵件，為胡正明提供了一個新的角度來對這個問題進行思考。