第三百一十六章 彎道超車

東京半導體設備展有很多年歷史，今年因為新芯宣布旗下的光刻機業務條線突破了40nm工藝制程，導致這次的東京半導體設備展格外引人注目。

新芯這個名字在半導體行業內並不陌生，甚至頗有種大名鼎鼎的味道在內，因為這家企業和它的創始人周新一樣，迅速崛起後在業內占據了重要的地位。

台積電被它壓制的極其難受，ARM的移動芯片架構成為主流新芯功不可沒，德州儀器、三星、英特爾這些老牌巨頭紛紛下注移動芯片同樣是因為新芯。

因為新芯的地位和行業口碑，讓大家相信新芯確實突破了40nm工藝制程，尤其是友商們，他們更關注另外一件事。

“新芯是如何做到的？”在東京半導體展的開幕式上，小松正志低聲問他旁邊的佐藤博人。

小松正志是霓虹EUVA的執行董事，同時也是小松株式會社的會長，小松株式會社是光源制造商。

在霓虹產經社的主導下，尼康、佳能、小松株式會社、東芝和三菱等等都是EUVA的成員，EUVA的全稱是極紫外光光刻開發協會，極紫外光就是13.5nm波長的光。

因此新芯宣布攻克40nm制程後，EUVA的成員們並沒有太大的危機感，因為他們一旦攻克了極紫外光，那麽從65nm制程一直到5nm都將暢通無阻。

甚至站在EUVA，也就是協會的立場和小松株式會社的立場來說，小松正志有點巴不得新芯是真的突破了，也就是說那種可以用在大規模生產上有良品率保障的突破，而別是實驗室突破。

因為新芯攻克了40nm工藝制程，意味著EUVA會獲得更多的資源支持，小松株式會社作為其中唯一的光源制造商，自然也會獲得更多的資源扶持。

至於新芯在光刻機市場上徹底擊敗霓虹，小松正志從來沒有想過這種可能性，在他看來這是不可能的事情。

不過後世ASML能夠借助技術優勢幾乎在短短三年時間內徹底實現逆轉，打的尼康和佳能永世不得翻身，這完全不是市場化行為，而是ASML背後的阿美利肯資本主導下的行為。

為什麽這麽說，因為在ASML靠著浸潤法率先攻克40nm的工藝制程並獲得英特爾的生產驗證後，他們召開了光刻未來技術研討會，會上邀請了10家主要的芯片制造廠商，也就是他們的主要客戶。

會上，ASML表示他們已經借助浸潤法成功攻克了那道門檻，也就是卡住芯片工藝繼續發展的門檻，希望大家支持浸潤法光刻機作為未來唯一的技術路線，說白了就是只支持ASML。

在場10家芯片制造廠商裏有6家技術代表你們的浸潤法光刻機沒問題，但是我們也希望讓157nm幹式光刻機繼續發展作為備份的技術路線，因為這樣一旦浸潤式光刻機技術路線遇到阻礙，我們還有第二個選項。

這是非常合理的要求，站在當時那個視角來看，沒人能保證浸潤式絕對沒有問題，工藝制程的發展能夠一馬平川，毫無阻礙。

結果就是ASML在該會議上痛批這幫芯片制造廠商的技術代表們沒有遠見，觀點的參考價值極其有限。

ASML組織了這次技術研討會，研討會後卻完全沒有用會議的討論結果，在背後資本主導下，尼康和佳能的157nm幹式光刻機失去了整個西方資本主導下芯片代工的市場。

小松正志和他的小松株式會社也在這過程中消失在行業內，再也沒有了任何消息。

“大概率是用的浸潤法，也就是在鏡頭和矽片之間加液體，他們光刻機條線的負責人是林本堅博士，他一直堅持浸潤法是半導體工藝突破的關鍵。

只是不知道他們是如何繞過浸潤法的困難。”佐藤博人說，他是EUVA在禦殿場市的研發團隊的負責人。

在光刻機失利後，佐藤博人同樣經歷了很長一段時間的失落和沉寂，和小松正志比起來，他最後還是走出來了，甚至換了個研究方向重新活躍在學術界。

此時意氣風發指點新芯光刻機技術的他們，不會知道這個未來對霓虹的光刻機產業只會更加殘酷。

尼康和佳能這次連殘羹冷炙都吃不到了。

“我也好奇，因為新芯最早是買的我們的光刻機技術，他們如果要采用浸潤法的話，需要完全重新構建整個物鏡光路。

這可不是一個小工作。

這需要耗費大量的人力物力。”小松正志說。

作為光源制造商，他很清楚，尼康的技術關鍵，要想采用浸潤式有太多困難了。

最大的困難就是物鏡光路的改造，尼康的技術最後一塊物鏡是曲面的，曲面鏡片和浸潤式存在天然的不兼容。

而ASML的193nm光刻機最後一片鏡片是平的，ASML的物鏡系統可以無縫對接浸沒式系統。

佐藤博人說：“我每次在IEEE的光學大會上和林博士聊，他對光刻機領域如何利用光源非常精通。