第五章 承上啟下的發現（第2/2頁）

胡正明在加州大學伯克利分校的實驗室早在1995年就看到了這一點。

FinFET作為第一個3D MOSFET，將扁平而寬的晶體管結構變為高而窄的晶體管結構。好處是在更小的占地面積內獲得更好的性能，就像在擁擠的城市中多層建築相對於單層建築的優勢一樣。

FinFET也就是所謂的薄體（thin－body）MOSFET，這一概念繼續指導新設備的開發。

它源於這樣一種認識，即電流不會通過矽表面幾納米內的晶體管泄漏，因為那裏的表面電勢受到柵極電壓的良好控制。

FinFET牢記這種薄體概念。該器件的主體是垂直的矽鰭片，被氧化物絕緣體和柵極金屬覆蓋，在強柵極控制範圍之外沒有留下任何矽。FinFET將漏電流降低了幾個數量級，並降低了晶體管工作電壓。它還指出了進一步改進的路徑：進一步降低厚度。

而電流不會通過矽表面幾納米內的晶體管泄漏，因為那裏的表面電勢受到柵極電壓的良好控制，這一概念，正是MOSFET進行互連建模在實驗室進行復現後發現的。

周新不可能告訴胡正明，這是你自己發現的。

不過由於周新對於胡正明最重要的論文，都做過精讀，對於當時是如何思考，有自己的分析。

這些分析和二十年後的老胡交流過程中，也獲得了對方的認可。